Številka izdelka proizvajalca:
TSM260P02CX6 RFG
Product Overview
Proizvajalec:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
TSM260P02CX6 RFG-DG
Opis:
MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Podroben opis:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Zaloga:
23257 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12897651
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TSM260P02CX6 RFG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Taiwan Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1670 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.56W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-26
Paket / Primer
SOT-23-6
Osnovna številka izdelka
TSM260
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TSM260P02CX6 RFGCT
TSM260P02CX6RFGCT
TSM260P02CX6RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-DG
TSM260P02CX6 RFGDKR
TSM260P02CX6RFGDKR
TSM260P02CX6 RFGCT-DG
TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGDKR-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TSM60NB600CF C0G
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
DMTH6016LFDFW-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
TSM033NA04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
